DMN1260UFA - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN1260UFA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN1260UFA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.366 Ohm
   Тип корпуса: X2-DFN0806-3
 

 Аналог (замена) для DMN1260UFA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN1260UFA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  diodes
 dmn1260ufa.pdf pdf_icon

DMN1260UFA

DMN1260UFA 12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 366m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance 520m @ VGS = 2.5V Low Input Capacitance 12V 0.5A 950m @ VGS = 1.8V ESD Protected Gat

Другие MOSFET... DMN10H170SFDE , DMN10H170SFG , DMN10H170SK3 , DMN10H170SVT , DMN10H220L , DMN10H220LE , DMN10H220LVT , DMN1150UFB , IRF520 , DMN13H750S , DMN15H310SE , DMN2005UFG , DMN2011UFDE , DMN2011UFX , DMN2013UFDE , DMN2013UFX , DMN2014LHAB .

History: HGN080N10S

 

 
Back to Top

 


 
.