DMN1260UFA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN1260UFA
Маркировка: 88
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.96 nC
trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.366 Ohm
Тип корпуса: X2-DFN0806-3
Аналог (замена) для DMN1260UFA
DMN1260UFA Datasheet (PDF)
dmn1260ufa.pdf
DMN1260UFA 12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 366m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance 520m @ VGS = 2.5V Low Input Capacitance 12V 0.5A 950m @ VGS = 1.8V ESD Protected Gat
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .