Справочник MOSFET. DMN1260UFA

 

DMN1260UFA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN1260UFA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.366 Ohm
   Тип корпуса: X2-DFN0806-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN1260UFA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  diodes
 dmn1260ufa.pdf pdf_icon

DMN1260UFA

DMN1260UFA 12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 366m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance 520m @ VGS = 2.5V Low Input Capacitance 12V 0.5A 950m @ VGS = 1.8V ESD Protected Gat

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STP28N65M2 | 7N60L-B-TF3 | SE3018 | FTK2301 | IRL3302SPBF | KP7129A | LSH65R380HT

 

 
Back to Top

 


 
.