DMN1260UFA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN1260UFA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.366 Ohm

Тип корпуса: X2-DFN0806-3

Аналог (замена) для DMN1260UFA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN1260UFA даташит

 ..1. Size:343K  diodes
 dmn1260ufa.pdf pdf_icon

DMN1260UFA

DMN1260UFA 12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25 C 366m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance 520m @ VGS = 2.5V Low Input Capacitance 12V 0.5A 950m @ VGS = 1.8V ESD Protected Gat

Другие IGBT... DMN10H170SFDE, DMN10H170SFG, DMN10H170SK3, DMN10H170SVT, DMN10H220L, DMN10H220LE, DMN10H220LVT, DMN1150UFB, IRFB7545, DMN13H750S, DMN15H310SE, DMN2005UFG, DMN2011UFDE, DMN2011UFX, DMN2013UFDE, DMN2013UFX, DMN2014LHAB