DMN13H750S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN13H750S
   Código: 3H7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.77 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 130 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 1.7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 19 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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DMN13H750S Datasheet (PDF)

..1. Size:616K diodes
dmn13h750s.pdf

DMN13H750S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Small Surface Mount Package 0.75 @ VGS = 10V 1.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 130V 0.85 @ VGS = 6.0V 0.9A Halogen and Antimony

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History: ZXMN10A07F

Liste

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