DMN13H750S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN13H750S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 130 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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DMN13H750S datasheet

 ..1. Size:616K  diodes
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DMN13H750S

DMN13H750S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25 C Small Surface Mount Package 0.75 @ VGS = 10V 1.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 130V 0.85 @ VGS = 6.0V 0.9A Halogen and Antimony

Otros transistores... DMN10H170SFG, DMN10H170SK3, DMN10H170SVT, DMN10H220L, DMN10H220LE, DMN10H220LVT, DMN1150UFB, DMN1260UFA, AON7403, DMN15H310SE, DMN2005UFG, DMN2011UFDE, DMN2011UFX, DMN2013UFDE, DMN2013UFX, DMN2014LHAB, DMN2015UFDE