DMN13H750S Todos los transistores

 

DMN13H750S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN13H750S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 130 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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DMN13H750S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  diodes
 dmn13h750s.pdf pdf_icon

DMN13H750S

DMN13H750S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Small Surface Mount Package 0.75 @ VGS = 10V 1.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 130V 0.85 @ VGS = 6.0V 0.9A Halogen and Antimony

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History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
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