DMN13H750S - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN13H750S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN13H750S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 130 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для DMN13H750S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN13H750S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  diodes
 dmn13h750s.pdf pdf_icon

DMN13H750S

DMN13H750S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Small Surface Mount Package 0.75 @ VGS = 10V 1.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 130V 0.85 @ VGS = 6.0V 0.9A Halogen and Antimony

Другие MOSFET... DMN10H170SFG , DMN10H170SK3 , DMN10H170SVT , DMN10H220L , DMN10H220LE , DMN10H220LVT , DMN1150UFB , DMN1260UFA , EMB04N03H , DMN15H310SE , DMN2005UFG , DMN2011UFDE , DMN2011UFX , DMN2013UFDE , DMN2013UFX , DMN2014LHAB , DMN2015UFDE .

History: 2SK2385 | IPD530N15N3G

 

 
Back to Top

 


 
.