DMN13H750S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN13H750S
Маркировка: 3H7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.77 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 130 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.6 nC
Время нарастания (tr): 1.7 ns
Выходная емкость (Cd): 19 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для DMN13H750S
DMN13H750S Datasheet (PDF)
..1. Size:616K diodes
dmn13h750s.pdf
dmn13h750s.pdf
DMN13H750S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25C Small Surface Mount Package 0.75 @ VGS = 10V 1.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 130V 0.85 @ VGS = 6.0V 0.9A Halogen and Antimony
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
