DMN13H750S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN13H750S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 130 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для DMN13H750S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN13H750S даташит

 ..1. Size:616K  diodes
 dmn13h750s.pdf pdf_icon

DMN13H750S

DMN13H750S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Fast Switching Speed TA = +25 C Small Surface Mount Package 0.75 @ VGS = 10V 1.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 130V 0.85 @ VGS = 6.0V 0.9A Halogen and Antimony

Другие IGBT... DMN10H170SFG, DMN10H170SK3, DMN10H170SVT, DMN10H220L, DMN10H220LE, DMN10H220LVT, DMN1150UFB, DMN1260UFA, AON7403, DMN15H310SE, DMN2005UFG, DMN2011UFDE, DMN2011UFX, DMN2013UFDE, DMN2013UFX, DMN2014LHAB, DMN2015UFDE