DMN3010LFG MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DMN3010LFG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN3010LFG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: POWERDI-3333-8

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DMN3010LFG datasheet

..1. Size:426K diodes
dmn3010lfg.pdf pdf_icon

DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 8.5m @ VGS = 10V 30A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 10.5m @ VGS = 4.5V 25A

0.1. Size:426K 1
dmn3010lfg-7.pdf pdf_icon

6.1. Size:146K diodes
dmn3010lss.pdf pdf_icon

6.2. Size:276K diodes
dmn3010lk3.pdf pdf_icon

DMN3010LK3 Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher 9.5m @ VGS = 10V 43A density end products 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 39A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and

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