DMN3018SSS-13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN3018SSS-13
   Código: N3018SS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13 Datasheet (PDF)

4.1. Size:212K diodes
dmn3018sss.pdf

DMN3018SSS30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 21m @ VGS = 10V 7.3A ESD Protected Gate Green component and RoHS compliant (Notes 1 & 2) 30V 35m @ VGS = 4.5V 5.5A Qualified to AEC-Q101 standards for

5.1. Size:297K diodes
dmn3018ssd.pdf

DMN3018SSD30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C 100% UIS (Avalanche) Rated 22m @ VGS = 10V 6.7A ESD Protected Gate 30V 30m @ VGS = 4.5V 5.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Quali

6.1. Size:256K diodes
dmn3018sfg.pdf

DMN3018SFG30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 21m @ VGS = 10V 8.5A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 35m @ VG

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Liste

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