DMN3018SSS-13 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN3018SSS-13
Маркировка: N3018SS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для DMN3018SSS-13
DMN3018SSS-13 Datasheet (PDF)
dmn3018sss.pdf
DMN3018SSS30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 21m @ VGS = 10V 7.3A ESD Protected Gate Green component and RoHS compliant (Notes 1 & 2) 30V 35m @ VGS = 4.5V 5.5A Qualified to AEC-Q101 standards for
dmn3018ssd.pdf
DMN3018SSD30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C 100% UIS (Avalanche) Rated 22m @ VGS = 10V 6.7A ESD Protected Gate 30V 30m @ VGS = 4.5V 5.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Quali
dmn3018sfg.pdf
DMN3018SFG30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 21m @ VGS = 10V 8.5A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 35m @ VG
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
