DMN3900UFA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN3900UFA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm

Encapsulados: X2-DFN0806-3

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DMN3900UFA datasheet

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DMN3900UFA

DMN3900UFA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25 C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 760m @ VGS = 4.5V 0.65A Low VGS(th), can be driven directly from a battery 30V 930m @ VGS = 2.5V 0.58A Low RDS(on) 1500m @ VGS = 1.8V 0.4

Otros transistores... DMN3190LDW, DMN31D5UFZ, DMN32D4SDW, DMN33D8L, DMN33D8LDW, DMN33D8LT, DMN33D8LV, DMN3730UFB-7, 18N50, DMN4008LFG, DMN4010LFG, DMN4010LK3, DMN4020LFDE, DMN4026SK3, DMN4026SSD, DMN4060SVT-7, DMN53D0L