DMN3900UFA Todos los transistores

 

DMN3900UFA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN3900UFA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm
   Paquete / Cubierta: X2-DFN0806-3
 

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DMN3900UFA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  diodes
 dmn3900ufa.pdf pdf_icon

DMN3900UFA

DMN3900UFA30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 760m @ VGS = 4.5V 0.65A Low VGS(th), can be driven directly from a battery 30V 930m @ VGS = 2.5V 0.58A Low RDS(on) 1500m @ VGS = 1.8V 0.4

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