DMN3900UFA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3900UFA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm

Тип корпуса: X2-DFN0806-3

Аналог (замена) для DMN3900UFA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3900UFA даташит

 ..1. Size:277K  diodes
 dmn3900ufa.pdf pdf_icon

DMN3900UFA

DMN3900UFA 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25 C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 760m @ VGS = 4.5V 0.65A Low VGS(th), can be driven directly from a battery 30V 930m @ VGS = 2.5V 0.58A Low RDS(on) 1500m @ VGS = 1.8V 0.4

Другие IGBT... DMN3190LDW, DMN31D5UFZ, DMN32D4SDW, DMN33D8L, DMN33D8LDW, DMN33D8LT, DMN33D8LV, DMN3730UFB-7, 18N50, DMN4008LFG, DMN4010LFG, DMN4010LK3, DMN4020LFDE, DMN4026SK3, DMN4026SSD, DMN4060SVT-7, DMN53D0L