Справочник MOSFET. DMN3900UFA

 

DMN3900UFA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN3900UFA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm
   Тип корпуса: X2-DFN0806-3
 

 Аналог (замена) для DMN3900UFA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3900UFA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  diodes
 dmn3900ufa.pdf pdf_icon

DMN3900UFA

DMN3900UFA30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 760m @ VGS = 4.5V 0.65A Low VGS(th), can be driven directly from a battery 30V 930m @ VGS = 2.5V 0.58A Low RDS(on) 1500m @ VGS = 1.8V 0.4

Другие MOSFET... DMN3190LDW , DMN31D5UFZ , DMN32D4SDW , DMN33D8L , DMN33D8LDW , DMN33D8LT , DMN33D8LV , DMN3730UFB-7 , 75N75 , DMN4008LFG , DMN4010LFG , DMN4010LK3 , DMN4020LFDE , DMN4026SK3 , DMN4026SSD , DMN4060SVT-7 , DMN53D0L .

History: BSC042N03LSG | NTMD4884NFR2G | APT60M80L2VFRG | MDV1595SURH | VBZA4409 | AP2N025LN | IRFS9521

 

 
Back to Top

 


 
.