DMP25H18DLFDE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMP25H18DLFDE
   Código: H8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: U-DFN2020-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMP25H18DLFDE

DMP25H18DLFDE Datasheet (PDF)

..1. Size:247K diodes
dmp25h18dlfde.pdf

DMP25H18DLFDE 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low-Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 14 @ VGS = -10V -0.26A -250V Low On-Resistance 18 @ VGS = -3.5V -0.23A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

9.1. Size:403K diodes
dmp2540ucb9.pdf

DMP2540UCB9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: VDSS RDS(on) Q g Qgd ID RDS(on) = 33m to Minimize On-State Losses -25V 33m 4.8nC 1.0nC -5.2A Qg = 4.8nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.6V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Foot

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Liste

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