Справочник MOSFET. DMP25H18DLFDE

 

DMP25H18DLFDE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMP25H18DLFDE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6
 

 Аналог (замена) для DMP25H18DLFDE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMP25H18DLFDE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  diodes
 dmp25h18dlfde.pdf pdf_icon

DMP25H18DLFDE

DMP25H18DLFDE 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low-Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 14 @ VGS = -10V -0.26A -250V Low On-Resistance 18 @ VGS = -3.5V -0.23A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 9.1. Size:403K  diodes
 dmp2540ucb9.pdf pdf_icon

DMP25H18DLFDE

DMP2540UCB9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: VDSS RDS(on) Q g Qgd ID RDS(on) = 33m to Minimize On-State Losses -25V 33m 4.8nC 1.0nC -5.2A Qg = 4.8nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.6V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Foot

Другие MOSFET... DMP21D5UFD , DMP2200UDW , DMP2200UFCL , DMP2240UWQ , DMP22D4UFA , DMP22M2UPS , DMP2305UVT , DMP2540UCB9 , IRFZ24N , DMP26M7UFG , DMP3008SFG , DMP3010LK3 , DMP3010LPSQ , DMP3012LPS , DMP3017SFG , DMP3017SFK , DMP3018SFK .

History: STV200N55F3 | SM2F07NSU | CEU83A3 | CED3172 | 2SK1546

 

 
Back to Top

 


 
.