Справочник MOSFET. DMP25H18DLFDE

 

DMP25H18DLFDE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMP25H18DLFDE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMP25H18DLFDE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  diodes
 dmp25h18dlfde.pdf pdf_icon

DMP25H18DLFDE

DMP25H18DLFDE 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low-Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 14 @ VGS = -10V -0.26A -250V Low On-Resistance 18 @ VGS = -3.5V -0.23A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 9.1. Size:403K  diodes
 dmp2540ucb9.pdf pdf_icon

DMP25H18DLFDE

DMP2540UCB9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: VDSS RDS(on) Q g Qgd ID RDS(on) = 33m to Minimize On-State Losses -25V 33m 4.8nC 1.0nC -5.2A Qg = 4.8nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.6V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Foot

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSM6K204FE | SQJ460AEP | ZVP3310FTC | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.