DMP25H18DLFDE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMP25H18DLFDE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: U-DFN2020-6

Аналог (замена) для DMP25H18DLFDE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMP25H18DLFDE даташит

 ..1. Size:247K  diodes
 dmp25h18dlfde.pdf pdf_icon

DMP25H18DLFDE

DMP25H18DLFDE 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low-Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 14 @ VGS = -10V -0.26A -250V Low On-Resistance 18 @ VGS = -3.5V -0.23A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 9.1. Size:403K  diodes
 dmp2540ucb9.pdf pdf_icon

DMP25H18DLFDE

DMP2540UCB9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25 C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit VDSS RDS(on) Q g Qgd ID RDS(on) = 33m to Minimize On-State Losses -25V 33m 4.8nC 1.0nC -5.2A Qg = 4.8nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.6V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Foot

Другие IGBT... DMP21D5UFD, DMP2200UDW, DMP2200UFCL, DMP2240UWQ, DMP22D4UFA, DMP22M2UPS, DMP2305UVT, DMP2540UCB9, TK10A60D, DMP26M7UFG, DMP3008SFG, DMP3010LK3, DMP3010LPSQ, DMP3012LPS, DMP3017SFG, DMP3017SFK, DMP3018SFK