DMT5015LFDF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMT5015LFDF
   Código: T5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.82 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 301.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: U-DFN2020-6

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DMT5015LFDF Datasheet (PDF)

..1. Size:343K diodes
dmt5015lfdf.pdf

DMT5015LFDF 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C 15m @ VGS = 10V 9.1A Low Gate Threshold Voltage 50V 23m @ VGS = 4.5V 7.4A Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) H

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MS74N52

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: