DMT5015LFDF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMT5015LFDF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.82 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 301.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: U-DFN2020-6
Búsqueda de reemplazo de DMT5015LFDF MOSFET
DMT5015LFDF Datasheet (PDF)
dmt5015lfdf.pdf
DMT5015LFDF 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C 15m @ VGS = 10V 9.1A Low Gate Threshold Voltage 50V 23m @ VGS = 4.5V 7.4A Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) H
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History: TSD5N60M | AP6904GH-HF | DMG6968UTS | AOB1404L | AP6800GEO | AP6679GS-A-HF | AP6941GMT-HF
History: TSD5N60M | AP6904GH-HF | DMG6968UTS | AOB1404L | AP6800GEO | AP6679GS-A-HF | AP6941GMT-HF
Liste
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