DMT5015LFDF - описание и поиск аналогов

 

DMT5015LFDF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMT5015LFDF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.82 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 301.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: U-DFN2020-6

Аналог (замена) для DMT5015LFDF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT5015LFDF даташит

 ..1. Size:343K  diodes
 dmt5015lfdf.pdf pdf_icon

DMT5015LFDF

DMT5015LFDF 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25 C 15m @ VGS = 10V 9.1A Low Gate Threshold Voltage 50V 23m @ VGS = 4.5V 7.4A Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) H

Другие MOSFET... DMS3012SFG , DMS3014SFG , DMS3014SSS , DMS3015SSS , DMS3016SSS , DMS3017SSD , DMS3019SSD , DMT3008LFDF , IRF9540 , DMT6008LFG , DMT6010LFG , DMT6016LFDF , DMT6016LPS , DMT6016LSS , DMT8012LFG , DMTH8012LK3 , DN1509 .

History: 2SK1502 | JMSH0602AG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.