DMT5015LFDF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMT5015LFDF
Маркировка: T5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.82 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 301.4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: U-DFN2020-6
Аналог (замена) для DMT5015LFDF
DMT5015LFDF Datasheet (PDF)
dmt5015lfdf.pdf
DMT5015LFDF 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C 15m @ VGS = 10V 9.1A Low Gate Threshold Voltage 50V 23m @ VGS = 4.5V 7.4A Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) H
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918