DMT5015LFDF - аналоги и даташиты транзистора

 

DMT5015LFDF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMT5015LFDF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.82 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 301.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6
 

 Аналог (замена) для DMT5015LFDF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT5015LFDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  diodes
 dmt5015lfdf.pdf pdf_icon

DMT5015LFDF

DMT5015LFDF 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C 15m @ VGS = 10V 9.1A Low Gate Threshold Voltage 50V 23m @ VGS = 4.5V 7.4A Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) H

Другие MOSFET... DMS3012SFG , DMS3014SFG , DMS3014SSS , DMS3015SSS , DMS3016SSS , DMS3017SSD , DMS3019SSD , DMT3008LFDF , AO3400 , DMT6008LFG , DMT6010LFG , DMT6016LFDF , DMT6016LPS , DMT6016LSS , DMT8012LFG , DMTH8012LK3 , DN1509 .

History: IRFS820B | PJF5NA50 | CS4N65P

 

 
Back to Top

 


 
.