DN2530 Todos los transistores

 

DN2530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DN2530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.175 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92 SOT-89
     - Selección de transistores por parámetros

 

DN2530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  supertex
 dn2530.pdf pdf_icon

DN2530

DN2530N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on) High input impedancetransistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and Low input capacitanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Fast switching speedsThis combination produces a device with the po

 9.1. Size:545K  supertex
 dn2535.pdf pdf_icon

DN2530

DN2535N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe Supertex DN2535 is a low threshold depletion mode High input impedance(normally-on) transistor utilizing an advanced vertical Low input capacitanceDMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate Fast switching speedsmanufacturing process. This combination produces a device

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History: ZXM64N035GTA | IRF624A | JCS24N50ABH | IXFN64N60P | BSC0504NSI | WNM3017 | SMP40N10

 

 
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