DN2530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DN2530
Código: DN2530_DN5T*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.74 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.175 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1 V
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92 SOT-89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DN2530
DN2530 Datasheet (PDF)
dn2530.pdf
DN2530N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on) High input impedancetransistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and Low input capacitanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Fast switching speedsThis combination produces a device with the po
dn2535.pdf
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History: ZVNL120C
