DN2530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DN2530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.175 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92 SOT-89
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DN2530 Datasheet (PDF)
dn2530.pdf
DN2530N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on) High input impedancetransistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and Low input capacitanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Fast switching speedsThis combination produces a device with the po
dn2535.pdf
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History: FQPF5P20RDTU
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