DN2530 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DN2530
Маркировка: DN2530_DN5T*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.175 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: TO-92 SOT-89
DN2530 Datasheet (PDF)
dn2530.pdf
DN2530N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on) High input impedancetransistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and Low input capacitanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Fast switching speedsThis combination produces a device with the po
dn2535.pdf
DN2535N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe Supertex DN2535 is a low threshold depletion mode High input impedance(normally-on) transistor utilizing an advanced vertical Low input capacitanceDMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate Fast switching speedsmanufacturing process. This combination produces a device
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918