DN2530 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DN2530
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.175 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: TO-92 SOT-89
Аналог (замена) для DN2530
DN2530 Datasheet (PDF)
dn2530.pdf

DN2530N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on) High input impedancetransistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and Low input capacitanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Fast switching speedsThis combination produces a device with the po
dn2535.pdf

DN2535N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General DescriptionThe Supertex DN2535 is a low threshold depletion mode High input impedance(normally-on) transistor utilizing an advanced vertical Low input capacitanceDMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate Fast switching speedsmanufacturing process. This combination produces a device
Другие MOSFET... DMT6016LFDF , DMT6016LPS , DMT6016LSS , DMT8012LFG , DMTH8012LK3 , DN1509 , DN2450 , DN2470 , AON7410 , DN2535 , DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 .
History: CEB12N6 | AO4613 | 2SK2684 | APT47N60BC3 | SHD226408 | IRHSLNA57064
History: CEB12N6 | AO4613 | 2SK2684 | APT47N60BC3 | SHD226408 | IRHSLNA57064



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209