DN3535 Todos los transistores

 

DN3535 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DN3535
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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DN3535 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  supertex
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DN3535

Supertex inc. DN3535N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description High input impedance This low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an advanced vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitancewell-proven silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speedscombination produces a device with the po

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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