Справочник MOSFET. DN3535

 

DN3535 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DN3535
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для DN3535

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DN3535 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  supertex
 dn3535.pdf pdf_icon

DN3535

Supertex inc. DN3535N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description High input impedance This low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an advanced vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitancewell-proven silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speedscombination produces a device with the po

Другие MOSFET... DN2470 , DN2530 , DN2535 , DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , 4435 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 .

History: IXFT16N80P | NCV8402D | SM2603PSC

 

 
Back to Top

 


 
.