DN3765 Todos los transistores

 

DN3765 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DN3765
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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DN3765 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  supertex
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DN3765

DN3765N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an High input impedanceadvanced vertical DMOS structure and Supertexs well- Low input capacitanceproven silicon-gate manufacturing process. This combination Fast switching speedsproduces a device with the power handling capabilities o

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