DN3765 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DN3765
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
DN3765 Datasheet (PDF)
dn3765.pdf

DN3765N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an High input impedanceadvanced vertical DMOS structure and Supertexs well- Low input capacitanceproven silicon-gate manufacturing process. This combination Fast switching speedsproduces a device with the power handling capabilities o
Otros transistores... DN2535 , DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , AON7506 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 .
History: HAT2197WP | CEB630N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
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