Справочник MOSFET. DN3765

 

DN3765 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DN3765
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для DN3765

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DN3765 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  supertex
 dn3765.pdf pdf_icon

DN3765

DN3765N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an High input impedanceadvanced vertical DMOS structure and Supertexs well- Low input capacitanceproven silicon-gate manufacturing process. This combination Fast switching speedsproduces a device with the power handling capabilities o

Другие MOSFET... DN2535 , DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , AON7506 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 .

History: PMT21EN | AON6590 | AM9412N | 22N10 | 4N80G-TF1-T | AP60T10GP-HF | VSE2R5N03MS

 

 
Back to Top

 


 
.