DN3765 - описание и поиск аналогов

 

DN3765. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DN3765

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для DN3765

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DN3765 даташит

 ..1. Size:348K  supertex
 dn3765.pdf pdf_icon

DN3765

DN3765 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features General Description This depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an High input impedance advanced vertical DMOS structure and Supertex s well- Low input capacitance proven silicon-gate manufacturing process. This combination Fast switching speeds produces a device with the power handling capabilities o

Другие MOSFET... DN2535 , DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , IRFB3607 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.