DSK5J01 Todos los transistores

 

DSK5J01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSK5J01

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 400 Ohm

Encapsulados: SMINI3-F2-B

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DSK5J01 datasheet

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DSK5J01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSK5J01 Silicon N-channel Junction FET For low frequency amplification For pyroelectric sensor Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1 Source

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DSK5J01

Doc No. TT4-EA-12789 Revision. 2 Product Standards Junction FETs DSK5J01 0L DSK5J01 0L Silicon N-channel Junciton FET Unit mm For low frequency amplificaton / For pyroelctric sensor 2.0 DSK2J01 in SMini3 type package 0.3 0.13 Features 3 High gate-drain Voltage(Source open)VGDO Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12

Otros transistores... DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , IRF530 , DSK5J01X0L , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 .

History: UPA1815GR | CRST040N10N | AP16T10GH | AOTF3N100

 

 

 

 

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