DSK5J01 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DSK5J01
Маркировка: B6P_B6Q_B6R
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 400 Ohm
Тип корпуса: SMINI3-F2-B
DSK5J01 Datasheet (PDF)
dsk5j01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK5J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensor Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Source
dsk5j01x0l.pdf
Doc No. TT4-EA-12789Revision. 2Product StandardsJunction FETsDSK5J010LDSK5J010LSilicon N-channel Junciton FETUnit: mm For low frequency amplificaton / For pyroelctric sensor2.0DSK2J01 in SMini3 type package0.3 0.13 Features3 High gate-drain Voltage(Source open)VGDO Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
