DSK5J01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DSK5J01
Маркировка: B6P_B6Q_B6R
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 400 Ohm
Тип корпуса: SMINI3-F2-B
DSK5J01 Datasheet (PDF)
dsk5j01.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK5J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensor Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Source
dsk5j01x0l.pdf

Doc No. TT4-EA-12789Revision. 2Product StandardsJunction FETsDSK5J010LDSK5J010LSilicon N-channel Junciton FETUnit: mm For low frequency amplificaton / For pyroelctric sensor2.0DSK2J01 in SMini3 type package0.3 0.13 Features3 High gate-drain Voltage(Source open)VGDO Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 2SK611 | IXFN320N17T2 | NCE70N1K4I | IRFD9024PBF | FQI7N10TU
History: 2SK611 | IXFN320N17T2 | NCE70N1K4I | IRFD9024PBF | FQI7N10TU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet