DSK9J01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSK9J01
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.13 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 400 Ohm
Encapsulados: SSMINI3-F3-B
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DSK9J01 datasheet
dsk9j01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSK9J01 Silicon N-channel Junction FET For low frequency amplification For pyroelectric sensor DSK5J01 in SSMini3 type package Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free
Otros transistores... DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , NCEP15T14 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 .
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