DSK9J01 Todos los transistores

 

DSK9J01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSK9J01
   Código: B6P_B6Q
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 400 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSMINI3-F3-B
 

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DSK9J01 Datasheet (PDF)

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DSK9J01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK9J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensorDSK5J01 in SSMini3 type package Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free

Otros transistores... DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , IRFP450 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 .

 

 
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