DSK9J01 - описание и поиск аналогов

 

DSK9J01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DSK9J01

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 400 Ohm

Тип корпуса: SSMINI3-F3-B

Аналог (замена) для DSK9J01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSK9J01 даташит

 ..1. Size:430K  panasonic
 dsk9j01.pdf pdf_icon

DSK9J01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSK9J01 Silicon N-channel Junction FET For low frequency amplification For pyroelectric sensor DSK5J01 in SSMini3 type package Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free

Другие MOSFET... DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , NCEP15T14 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 .

History: MDF6N65BTH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.