Справочник MOSFET. DSK9J01

 

DSK9J01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSK9J01
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 400 Ohm
   Тип корпуса: SSMINI3-F3-B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DSK9J01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  panasonic
 dsk9j01.pdf pdf_icon

DSK9J01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK9J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensorDSK5J01 in SSMini3 type package Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.