Справочник MOSFET. DSK9J01

 

DSK9J01 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DSK9J01
   Маркировка: B6P_B6Q
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 400 Ohm
   Тип корпуса: SSMINI3-F3-B

 Аналог (замена) для DSK9J01

 

 

DSK9J01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  panasonic
 dsk9j01.pdf

DSK9J01 DSK9J01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK9J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensorDSK5J01 in SSMini3 type package Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top