Справочник MOSFET. DSK9J01

 

DSK9J01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSK9J01
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 400 Ohm
   Тип корпуса: SSMINI3-F3-B
 

 Аналог (замена) для DSK9J01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSK9J01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  panasonic
 dsk9j01.pdf pdf_icon

DSK9J01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK9J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensorDSK5J01 in SSMini3 type package Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B Eco-friendly Halogen-free

Другие MOSFET... DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , IRFP450 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 .

History: YJG90G10A | 2N4339 | CHM4201PAGP | CHM8811JGP | SGSP341 | AU4N65S | HGN195N15SL

 

 
Back to Top

 


 
.