IPA180N10N3 Todos los transistores

 

IPA180N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPA180N10N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPA180N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  inchange semiconductor
 ipa180n10n3.pdf pdf_icon

IPA180N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA180N10N3,IIPA180N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 18m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIt is intended for general purpose switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:333K  infineon
 ipa180n10n3g.pdf pdf_icon

IPA180N10N3

IPA180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 28 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freque

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQAF90N08 | STS3404 | FQA90N15F109 | FQB12N60TMAM002 | FQB16N15TM | STP90N55F4

 

 
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