IPA180N10N3 - описание и поиск аналогов

 

IPA180N10N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA180N10N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для IPA180N10N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA180N10N3 даташит

 ..1. Size:244K  inchange semiconductor
 ipa180n10n3.pdf pdf_icon

IPA180N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA180N10N3,IIPA180N10N3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 18m (max) Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is intended for general purpose switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 0.1. Size:333K  infineon
 ipa180n10n3g.pdf pdf_icon

IPA180N10N3

IPA180N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 28 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freque

Другие MOSFET... DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 , FKI10300 , FMH08N80E , FQU10N20 , 5N60 , IPA60R120P7 , IPB048N15N5LF , IPD031N06L3 , IPD033N06N , IPD034N06N3 , IPD036N04L , IPD038N06N3 , IPD046N08N5 .

History: HM4487 | 2SK1934 | BLF7G24L-140 | 2SK2882 | WMS08P03T1 | 2P7234A-5 | AP10TN6R0I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.