Справочник MOSFET. IPA180N10N3

 

IPA180N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA180N10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для IPA180N10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA180N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  inchange semiconductor
 ipa180n10n3.pdf pdf_icon

IPA180N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA180N10N3,IIPA180N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 18m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIt is intended for general purpose switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:333K  infineon
 ipa180n10n3g.pdf pdf_icon

IPA180N10N3

IPA180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 28 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-freque

Другие MOSFET... DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 , FCP125N65S3 , FKI10300 , FMH08N80E , FQU10N20 , 13N50 , IPA60R120P7 , IPB048N15N5LF , IPD031N06L3 , IPD033N06N , IPD034N06N3 , IPD036N04L , IPD038N06N3 , IPD046N08N5 .

History: SVS11N70MJD2 | PMDPB56XN | IXTM4N80 | CEF12N6 | HP80N80 | TPCA8031-H | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.