IPD200N15N3 Todos los transistores

 

IPD200N15N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD200N15N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD200N15N3

 

Principales características: IPD200N15N3

 ..1. Size:993K  infineon
 ipb200n15n3g ipd200n15n3g ipi200n15n3g ipp200n15n3g ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for t

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD200N15N3,IIPD200N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150

Otros transistores... IPD088N06N3 , IPD096N08N3 , IPD110N12N3 , IPD122N10N3 , IPD127N06L , IPD135N08N3 , IPD16CN10N , IPD180N10N3 , IRFB7545 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N , IPD320N20N3 , IPD33CN10N , IPD350N06L , IPD400N06N , IPD530N15N3 , IPD600N25N3 .

 

 
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