IPD200N15N3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPD200N15N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPD200N15N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD200N15N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD200N15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:993K  infineon
 ipb200n15n3g ipd200n15n3g ipi200n15n3g ipp200n15n3g ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 GIPI200N15N3 G IPP200N15N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 20 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 50 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for t

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD200N15N3,IIPD200N15N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)20mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150

Другие MOSFET... IPD088N06N3 , IPD096N08N3 , IPD110N12N3 , IPD122N10N3 , IPD127N06L , IPD135N08N3 , IPD16CN10N , IPD180N10N3 , 8N60 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N , IPD320N20N3 , IPD33CN10N , IPD350N06L , IPD400N06N , IPD530N15N3 , IPD600N25N3 .

 

 
Back to Top

 


 
.