IPD200N15N3 - описание и поиск аналогов

 

IPD200N15N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD200N15N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IPD200N15N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD200N15N3 даташит

 ..1. Size:993K  infineon
 ipb200n15n3g ipd200n15n3g ipi200n15n3g ipp200n15n3g ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for t

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD200N15N3,IIPD200N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150

Другие MOSFET... IPD088N06N3 , IPD096N08N3 , IPD110N12N3 , IPD122N10N3 , IPD127N06L , IPD135N08N3 , IPD16CN10N , IPD180N10N3 , IRFB7545 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N , IPD320N20N3 , IPD33CN10N , IPD350N06L , IPD400N06N , IPD530N15N3 , IPD600N25N3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.