MDP1723 Todos los transistores

 

MDP1723 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDP1723

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MDP1723 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MDP1723 datasheet

 ..1. Size:245K  inchange semiconductor
 mdp1723.pdf pdf_icon

MDP1723

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.1. Size:1119K  magnachip
 mdp1723th.pdf pdf_icon

MDP1723

MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 40V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous

Otros transistores... IRFR7746 , IRFR812 , IRFR825TR , IRFR8314 , IRFS3307ZTRL , IRFS7534TRLPBF , ISTP16NF06 , MDF18N50 , 7N60 , MDP1922 , P50NF06 , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , SUD70090E , 2N3380 .

History: FDPF5N50UT | SI1317DL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.