Справочник MOSFET. MDP1723

 

MDP1723 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP1723
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1830 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP1723

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP1723 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  inchange semiconductor
 mdp1723.pdf pdf_icon

MDP1723

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.1. Size:1119K  magnachip
 mdp1723th.pdf pdf_icon

MDP1723

MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous

Другие MOSFET... IRFR7746 , IRFR812 , IRFR825TR , IRFR8314 , IRFS3307ZTRL , IRFS7534TRLPBF , ISTP16NF06 , MDF18N50 , MMIS60R580P , MDP1922 , P50NF06 , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , SUD70090E , 2N3380 .

History: WMM18N50C4 | IRF8788PBF | SL120N03R

 

 
Back to Top

 


 
.