MDP1723 - описание и поиск аналогов

 

MDP1723 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDP1723
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1830 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP1723

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP1723 технические параметры

 ..1. Size:245K  inchange semiconductor
 mdp1723.pdf pdf_icon

MDP1723

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.1. Size:1119K  magnachip
 mdp1723th.pdf pdf_icon

MDP1723

MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 40V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous

Другие MOSFET... IRFR7746 , IRFR812 , IRFR825TR , IRFR8314 , IRFS3307ZTRL , IRFS7534TRLPBF , ISTP16NF06 , MDF18N50 , 7N60 , MDP1922 , P50NF06 , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , SUD70090E , 2N3380 .

 

 
Back to Top

 


 
.