MDP1723 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDP1723  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MDP1723

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP1723 даташит

 ..1. Size:245K  inchange semiconductor
 mdp1723.pdf pdf_icon

MDP1723

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.1. Size:1119K  magnachip
 mdp1723th.pdf pdf_icon

MDP1723

MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 40V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous

Другие IGBT... IRFR7746, IRFR812, IRFR825TR, IRFR8314, IRFS3307ZTRL, IRFS7534TRLPBF, ISTP16NF06, MDF18N50, 7N60, MDP1922, P50NF06, SCT3060AL, SPA11N60C3E8185, SPD30N03S2L, SPD50N03S2, SUD70090E, 2N3380