P50NF06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P50NF06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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P50NF06 datasheet
p50nf06.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor P50NF06 DESCRIPTION Drain Current I =50A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) DS(on) Fast Switching Speed Low Drive Requirement Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current , high speed switching Switc
stb50nf25 stp50nf25.pdf
STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V
Otros transistores... IRFR825TR , IRFR8314 , IRFS3307ZTRL , IRFS7534TRLPBF , ISTP16NF06 , MDF18N50 , MDP1723 , MDP1922 , IRFZ46N , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , SUD70090E , 2N3380 , 2N3382 , 2N3384 .
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Liste
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