P50NF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P50NF06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P50NF06
P50NF06 Datasheet (PDF)
1.1. p50nf06.pdf 
Size:227K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor P50NF06 DESCRIPTION ·Drain Current I =50A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =60V(Min) DSS ·Static Drain-Source On-Resistance : R = 28mΩ(Max) DS(on) ·Fast Switching Speed ·Low Drive Requirement ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed switching ·Switc
5.1. stb50nf25 stp50nf25.pdf Size:345K _st
STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055? - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V <0.069 ? 45 A 160 W STB50NF25 250 V <0.069 ? 45 A 160 W 3 3 100% avalanche tested 1 2 1 Gate charge minimized TO-220 D?PAK Low intrinsic capacitances Application Switching applications Figure 1. Internal schemati
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
