P50NF06 Todos los transistores

 

P50NF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P50NF06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.028 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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P50NF06 Datasheet (PDF)

1.1. p50nf06.pdf Size:227K _inchange_semiconductor

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isc N-Channel MOSFET Transistor P50NF06 DESCRIPTION ·Drain Current I =50A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =60V(Min) DSS ·Static Drain-Source On-Resistance : R = 28mΩ(Max) DS(on) ·Fast Switching Speed ·Low Drive Requirement ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed switching ·Switc

5.1. stb50nf25 stp50nf25.pdf Size:345K _st

P50NF06
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STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055? - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V <0.069 ? 45 A 160 W STB50NF25 250 V <0.069 ? 45 A 160 W 3 3 100% avalanche tested 1 2 1 Gate charge minimized TO-220 D?PAK Low intrinsic capacitances Application Switching applications Figure 1. Internal schemati

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