P50NF06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P50NF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для P50NF06
P50NF06 Datasheet (PDF)
p50nf06.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor P50NF06DESCRIPTIONDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 28m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedLow Drive RequirementMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current , high speed switchingSwitc
stb50nf25 stp50nf25.pdf
STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V
Другие MOSFET... IRFR825TR , IRFR8314 , IRFS3307ZTRL , IRFS7534TRLPBF , ISTP16NF06 , MDF18N50 , MDP1723 , MDP1922 , STP65NF06 , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 , SPD30N03S2L , SPD50N03S2 , SUD70090E , 2N3380 , 2N3382 , 2N3384 .
History: STU80N4F6 | SD210DE | R6515KNJ | RMW200N03 | DG4N65-TO251 | WMLL010N04LG4
History: STU80N4F6 | SD210DE | R6515KNJ | RMW200N03 | DG4N65-TO251 | WMLL010N04LG4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940