SCT3060 Todos los transistores

 

SCT3060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SCT3060

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 165 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 22 V

Corriente continua de drenaje (Id): 39 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.6 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.078 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SCT3060

 

SCT3060 Datasheet (PDF)

1.1. sct3060.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

SCT3060
SCT3060

isc N-Channel SiC SMOSFET Transistor SCT3060 ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤78mΩ ·Fast switching speed ·Fast reverse recovery ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·DC/DC converters ·Switch mode power supplies ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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