Справочник MOSFET. SCT3060

 

SCT3060 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SCT3060

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 165 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 22 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.6 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 39 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для SCT3060

 

 

SCT3060 Datasheet (PDF)

1.1. sct3060.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

SCT3060
SCT3060

isc N-Channel SiC SMOSFET Transistor SCT3060 ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤78mΩ ·Fast switching speed ·Fast reverse recovery ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·DC/DC converters ·Switch mode power supplies ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top