2N4446 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2N4446 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4446

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: TO-46

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2N4446 datasheet

..1. Size:64K njs
2n4445 2n4446 2n4447 2n4448.pdf pdf_icon

9.1. Size:444K microsemi
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9.2. Size:66K microsemi
2n4449 2n2369a.pdf pdf_icon

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

9.3. Size:53K microsemi
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