Справочник MOSFET. 2N4446

 

2N4446 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N4446
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: TO-46
 

 Аналог (замена) для 2N4446

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N4446 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  njs
 2n4445 2n4446 2n4447 2n4448.pdf pdf_icon

2N4446

 9.1. Size:444K  microsemi
 2n4440.pdf pdf_icon

2N4446

 9.2. Size:66K  microsemi
 2n4449 2n2369a.pdf pdf_icon

2N4446

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 9.3. Size:53K  microsemi
 2n4449ub.pdf pdf_icon

2N4446

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N4416AC1A , 2N4416AC1B , 2N4416AC1C , 2N4416AC1D , 2N4416ACSM , 2N4416CSM , 2N4416DCSM , 2N4445 , IRF630 , 2N4447 , 2N4448 , 2N5114E3 , 2N5114UB , 2N5114UBE3 , 2N5115E3 , 2N5115UB , 2N5115UBE3 .

History: IRF6100 | TPW65R170M | AP65PN2R6P | IRFPC50LCPBF | VS4610AD

 

 
Back to Top

 


 
.