2N5163 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5163
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-106
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2N5163 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N5114UB , 2N5114UBE3 , 2N5115E3 , 2N5115UB , 2N5115UBE3 , 2N5116E3 , 2N5116UB , 2N5116UBE3 , AON7408 , 2N6849HP , 2N6849U , 2N6896 , 2N6898 , 2N7000CSM , 2N7000G , 2N7000RLRA , 2N7000RLRAG .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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