2N5163 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5163

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm

Encapsulados: TO-106

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2N5163 datasheet

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2N5163

Otros transistores... 2N5114UB, 2N5114UBE3, 2N5115E3, 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UB, 2N5116UBE3, IRFP250N, 2N6849HP, 2N6849U, 2N6896, 2N6898, 2N7000CSM, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG