2N5163. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5163

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm

Тип корпуса: TO-106

Аналог (замена) для 2N5163

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5163 даташит

 ..1. Size:59K  njs
 2n5163.pdf pdf_icon

2N5163

Другие IGBT... 2N5114UB, 2N5114UBE3, 2N5115E3, 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UB, 2N5116UBE3, IRFP250N, 2N6849HP, 2N6849U, 2N6896, 2N6898, 2N7000CSM, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG