2N6896 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6896
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AA
Búsqueda de reemplazo de 2N6896 MOSFET
2N6896 Datasheet (PDF)
2n6896.pdf
2N6896Data Sheet December 2001-6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET -6A, -100VThe 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limitedapplications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b
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History: P0165AI | R6006AND | IPD60R600P7S | NCE042N30K | PHN210 | KP801B
History: P0165AI | R6006AND | IPD60R600P7S | NCE042N30K | PHN210 | KP801B
Liste
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