2N6896 Todos los transistores

 

2N6896 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6896
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AA
 

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2N6896 Datasheet (PDF)

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2N6896

2N6896Data Sheet December 2001-6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET -6A, -100VThe 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limitedapplications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b

 9.1. Size:106K  njs
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2N6896

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