2N6896 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6896

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-204AA

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2N6896 datasheet

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2N6896

2N6896 Data Sheet December 2001 -6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power Features MOSFET -6A, -100V The 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600 power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limited applications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b

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2N6896

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