2N6896. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6896

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-204AA

Аналог (замена) для 2N6896

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6896 даташит

 ..1. Size:75K  fairchild semi
 2n6896.pdf pdf_icon

2N6896

2N6896 Data Sheet December 2001 -6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power Features MOSFET -6A, -100V The 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600 power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limited applications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b

 9.1. Size:106K  njs
 2n6898.pdf pdf_icon

2N6896

Другие IGBT... 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UB, 2N5116UBE3, 2N5163, 2N6849HP, 2N6849U, AON7408, 2N6898, 2N7000CSM, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG, 2N7000RLRMG, 2N7000RLRPG, 2N7002-7