2N6898 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6898
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 250 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AE
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6898
2N6898 Datasheet (PDF)
2n6896.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2N6896Data Sheet December 2001-6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET -6A, -100VThe 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limitedapplications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .