2N6898 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6898

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO-204AE

 Búsqueda de reemplazo de 2N6898 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N6898 datasheet

 ..1. Size:106K  njs
 2n6898.pdf pdf_icon

2N6898

 9.1. Size:75K  fairchild semi
 2n6896.pdf pdf_icon

2N6898

2N6896 Data Sheet December 2001 -6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power Features MOSFET -6A, -100V The 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600 power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limited applications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b

Otros transistores... 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UB, 2N5116UBE3, 2N5163, 2N6849HP, 2N6849U, 2N6896, 2SK3878, 2N7000CSM, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG, 2N7000RLRMG, 2N7000RLRPG, 2N7002-7, 2N7002-7-F