2N6898 Todos los transistores

 

2N6898 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6898
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AE
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N6898 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N6898 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  njs
 2n6898.pdf pdf_icon

2N6898

 9.1. Size:75K  fairchild semi
 2n6896.pdf pdf_icon

2N6898

2N6896Data Sheet December 2001-6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET -6A, -100VThe 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limitedapplications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b

Otros transistores... 2N5115UBE3 , 2N5116E3 , 2N5116UB , 2N5116UBE3 , 2N5163 , 2N6849HP , 2N6849U , 2N6896 , IRFP260 , 2N7000CSM , 2N7000G , 2N7000RLRA , 2N7000RLRAG , 2N7000RLRMG , 2N7000RLRPG , 2N7002-7 , 2N7002-7-F .

History: FKD3006

 

 
Back to Top

 


 
.