Справочник MOSFET. 2N6898

 

2N6898 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6898
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AE
 

 Аналог (замена) для 2N6898

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6898 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  njs
 2n6898.pdf pdf_icon

2N6898

 9.1. Size:75K  fairchild semi
 2n6896.pdf pdf_icon

2N6898

2N6896Data Sheet December 2001-6A, -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET -6A, -100VThe 2N6896 is a P-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600power MOS field effect transistor designed for high-speed SOA is Power Dissipation Limitedapplications such as switching regulators, switching converters, relay drivers, and drivers for high power b

Другие MOSFET... 2N5115UBE3 , 2N5116E3 , 2N5116UB , 2N5116UBE3 , 2N5163 , 2N6849HP , 2N6849U , 2N6896 , IRFP260 , 2N7000CSM , 2N7000G , 2N7000RLRA , 2N7000RLRAG , 2N7000RLRMG , 2N7000RLRPG , 2N7002-7 , 2N7002-7-F .

History: VBFB165R07

 

 
Back to Top

 


 
.