2N7090 Todos los transistores

 

2N7090 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7090
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AB
 

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2N7090 Datasheet (PDF)

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2N7091MECHANICAL DATADimensions in mm(inches)PCHANNELENHANCEMENT MODE4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)TRANSISTOR1.14 (0.045)3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)V(BR)DSS -100V1 2 3ID(A) -14ARDS(on) 0.200.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035)2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSCFEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FORHIGH RELIABILITY APP

 9.3. Size:242K  siliconix
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History: UTC654 | IPB015N08N5

 

 
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