2N7090 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7090

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-257AB

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2N7090 datasheet

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2N7090

2N7091 MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) P CHANNEL ENHANCEMENT MODE 4.83 (0.190) 5.08 (0.200) 10.41 (0.410) 10.67 (0.420) 0.89 (0.035) TRANSISTOR 1.14 (0.045) 3.56 (0.140) Dia. 3.81 (0.150) V(BR)DSS -100V 1 2 3 ID(A) -14A RDS(on) 0.20 0.64 (0.025) Dia. 0.89 (0.035) 2.54 (0.100) 3.05 (0.120) BSC BSC FEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APP

 9.3. Size:242K  siliconix
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2N7090

Otros transistores... 2N7002TESGP, 2N7002TGP, 2N7002VGP, 2N7002WSK, 2N7002W-TP, 2N7002X, 2N7081-220M-ISO, 2N7089, IRF520, 2N7092, 2N7218U, 2N7219U, 2N7221U, 2N7222, 2N7222U, 2N7224U, 2N7225U