2N7090 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N7090
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-257AB
2N7090 Datasheet (PDF)
0.1. 2n7090.pdf 
Size:213K _temic
9.1. 2n709.pdf Size:207K _rca
9.2. 2n7091.pdf Size:34K _semelab
2N7091MECHANICAL DATADimensions in mm(inches)PCHANNELENHANCEMENT MODE4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)TRANSISTOR1.14 (0.045)3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)V(BR)DSS -100V1 2 3ID(A) -14ARDS(on) 0.200.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035)2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSCFEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FORHIGH RELIABILITY APP
9.3. 2n7092.pdf Size:242K _siliconix
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
