2N7335E3 Todos los transistores

 

2N7335E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7335E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
 

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Principales características: 2N7335E3

 ..1. Size:596K  microsemi
 2n7335 2n7335e3.pdf pdf_icon

2N7335E3

2N7335 Qualified Levels JAN, JANTX, and QUAD P-CHANNEL MOSFET Available on JANTXV commercial Qualified per MIL-PRF-19500/599 versions DESCRIPTION This 2N7335 device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications. Important For th

 9.1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

2N7335E3

PD-90396H IRFG110 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/597 THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG110 0.7 1.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

Otros transistores... 2N7278 , 2N7281 , 2N7291 , 2N7293 , 2N7295 , 2N7297 , 2N7334 , 2N7335 , IRFZ44N , 2N7380 , 2N7381 , 2N7394 , 2N7394U , 2N7405 , BSC079N03S , FHF5N60 , MDD1654 .

History: HAT3036R

 

 
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