2N7335E3 Todos los transistores

 

2N7335E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7335E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: MO-036AB

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2N7335E3 Datasheet (PDF)

1.1. 2n7335 2n7335e3.pdf Size:596K _update-mosfet

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2N7335 Qualified Levels: JAN, JANTX, and QUAD P-CHANNEL MOSFET Available on JANTXV commercial Qualified per MIL-PRF-19500/599 versions DESCRIPTION This 2N7335 device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications. Important: For th

5.1. 2n7334.pdf Size:267K _update-mosfet

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PD-90396H IRFG110 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 POWER MOSFET REF:MIL-PRF-19500/597 THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNEL ® HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG110 0.7 Ω 1.0A HEXFET® MOSFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

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