2N7335E3 Todos los transistores

 

2N7335E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7335E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
 

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2N7335E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  microsemi
 2n7335 2n7335e3.pdf pdf_icon

2N7335E3

2N7335 Qualified Levels: JAN, JANTX, and QUAD P-CHANNEL MOSFET Available on JANTXV commercial Qualified per MIL-PRF-19500/599 versions DESCRIPTION This 2N7335 device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications. Important: For th

 9.1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

2N7335E3

PD-90396HIRFG110JANTX2N7334JANTXV2N7334POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/597THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFG110 0.7 1.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry design achieves very low on-stateres

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History: IXFJ40N30 | ISL9N308AD3 | NCE65TF360 | ZVNL110G | FQP8N90C | SVF4N60CAMN | 2SK4085LS

 

 
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