Справочник MOSFET. 2N7335E3

 

2N7335E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7335E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
 

 Аналог (замена) для 2N7335E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7335E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  microsemi
 2n7335 2n7335e3.pdf pdf_icon

2N7335E3

2N7335 Qualified Levels: JAN, JANTX, and QUAD P-CHANNEL MOSFET Available on JANTXV commercial Qualified per MIL-PRF-19500/599 versions DESCRIPTION This 2N7335 device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications. Important: For th

 9.1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

2N7335E3

PD-90396HIRFG110JANTX2N7334JANTXV2N7334POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/597THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFG110 0.7 1.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry design achieves very low on-stateres

Другие MOSFET... 2N7278 , 2N7281 , 2N7291 , 2N7293 , 2N7295 , 2N7297 , 2N7334 , 2N7335 , IRFZ44N , 2N7380 , 2N7381 , 2N7394 , 2N7394U , 2N7405 , BSC079N03S , FHF5N60 , MDD1654 .

History: SRH03P142LDTR-G | WNM07N65 | WM02N08G

 

 
Back to Top

 


 
.