2N7335E3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7335E3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: MO-036AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7335E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7335E3 даташит

 ..1. Size:596K  microsemi
 2n7335 2n7335e3.pdf pdf_icon

2N7335E3

2N7335 Qualified Levels JAN, JANTX, and QUAD P-CHANNEL MOSFET Available on JANTXV commercial Qualified per MIL-PRF-19500/599 versions DESCRIPTION This 2N7335 device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications. Important For th

 9.1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

2N7335E3

PD-90396H IRFG110 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/597 THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG110 0.7 1.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

Другие IGBT... 2N7278, 2N7281, 2N7291, 2N7293, 2N7295, 2N7297, 2N7334, 2N7335, IRFZ44N, 2N7380, 2N7381, 2N7394, 2N7394U, 2N7405, BSC079N03S, FHF5N60, MDD1654