MDD1654 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDD1654
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 21.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 278 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDD1654
MDD1654 Datasheet (PDF)
mdd1654.pdf
MDD1654 30V N-channel Trench MOSFET : 30V, 55A, 6.0m General Description Features The MDD1654 uses advanced Magnachips VDS = 30V ID = 55A @VGS = 10V MOSFET Technology, which provides high performance in on-state resistance, fast switching RDS(ON) performance and excellent quality. MDD1654 is
mdd1653rh.pdf
MDD1653RHwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL
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