MDD1654 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDD1654
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 278 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO252
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MDD1654 datasheet
mdd1654.pdf
MDD1654 30V N-channel Trench MOSFET 30V, 55A, 6.0m General Description Features The MDD1654 uses advanced Magnachip s VDS = 30V ID = 55A @VGS = 10V MOSFET Technology, which provides high performance in on-state resistance, fast switching RDS(ON) performance and excellent quality. MDD1654 is
mdd1653rh.pdf
MDD1653RH www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOL
Otros transistores... 2N7335E3 , 2N7380 , 2N7381 , 2N7394 , 2N7394U , 2N7405 , BSC079N03S , FHF5N60 , IRFP460 , NDP05N50Z , NDS356P , P6503NJ , RU6888R , SVS5N70D , SVS5N70MJ , SVS5N70MN , SVS5N70F .
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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