MDD1654 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDD1654
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 278 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для MDD1654
MDD1654 Datasheet (PDF)
mdd1654.pdf

MDD1654 30V N-channel Trench MOSFET : 30V, 55A, 6.0m General Description Features The MDD1654 uses advanced Magnachips VDS = 30V ID = 55A @VGS = 10V MOSFET Technology, which provides high performance in on-state resistance, fast switching RDS(ON) performance and excellent quality. MDD1654 is
mdd1653rh.pdf

MDD1653RHwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL
Другие MOSFET... 2N7335E3 , 2N7380 , 2N7381 , 2N7394 , 2N7394U , 2N7405 , BSC079N03S , FHF5N60 , IRF640 , NDP05N50Z , NDS356P , P6503NJ , RU6888R , SVS5N70D , SVS5N70MJ , SVS5N70MN , SVS5N70F .
History: PJM2309PSA | OSG65R290FEF
History: PJM2309PSA | OSG65R290FEF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet