045Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 045Y
   Código: 11N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.67 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 045Y

045Y Datasheet (PDF)

..1. Size:831K st
045y.pdf

STF11N65M2(045Y)N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.67 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protected

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mcac80n045y-tp.pdf

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

0.2. Size:447K st
stf11n65m2-045y.pdf

STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications

0.3. Size:869K mcc
mcac80n045y.pdf

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