045Y Todos los transistores

 

045Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 045Y
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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045Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  st
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045Y

STF11N65M2(045Y)N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.67 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protected

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045Y

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

 0.2. Size:447K  st
stf11n65m2-045y.pdf pdf_icon

045Y

STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications

 0.3. Size:869K  mcc
mcac80n045y.pdf pdf_icon

045Y

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

Otros transistores... 2303 , 2304 , 2305 , 4414 , 4614 , 4800 , 8958 , 9926 , STF13NM60N , 06N03 , 10N60A , 10N60AF , 10N60H , 10N80AF , 10N80B , 10N90A , 11N10 .

History: KF6N60F | LNE06R140 | 2SK1105

 

 
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