Справочник MOSFET. 045Y

 

045Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 045Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для 045Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

045Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  st
 045y.pdf pdf_icon

045Y

STF11N65M2(045Y)N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.67 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protected

 0.1. Size:869K  1
 mcac80n045y-tp.pdf pdf_icon

045Y

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

 0.2. Size:447K  st
 stf11n65m2-045y.pdf pdf_icon

045Y

STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications

 0.3. Size:869K  mcc
 mcac80n045y.pdf pdf_icon

045Y

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2303 , 2304 , 2305 , 4414 , 4614 , 4800 , 8958 , 9926 , STF13NM60N , 06N03 , 10N60A , 10N60AF , 10N60H , 10N80AF , 10N80B , 10N90A , 11N10 .

History: SIS439DNT | AP050N03Q | 2SK3819 | 45N06 | CS4N60A4TDY

 

 
Back to Top

 


 
.