Справочник MOSFET. 045Y

 

045Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 045Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

045Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  st
045y.pdfpdf_icon

045Y

STF11N65M2(045Y)N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.67 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protected

 0.1. Size:869K  1
mcac80n045y-tp.pdfpdf_icon

045Y

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

 0.2. Size:447K  st
stf11n65m2-045y.pdfpdf_icon

045Y

STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications

 0.3. Size:869K  mcc
mcac80n045y.pdfpdf_icon

045Y

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AOD409 | FMV05N50E | MIC94053YC6TR | IRFU220NPBF | IRF3707SPBF | IXTH16N20D2 | AUIRFI3205

 

 
Back to Top

 


 
.