045Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 045Y
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
045Y Datasheet (PDF)
045y.pdf

STF11N65M2(045Y)N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.67 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protected
mcac80n045y-tp.pdf

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t
stf11n65m2-045y.pdf

STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications
mcac80n045y.pdf

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AOD409 | FMV05N50E | MIC94053YC6TR | IRFU220NPBF | IRF3707SPBF | IXTH16N20D2 | AUIRFI3205
History: AOD409 | FMV05N50E | MIC94053YC6TR | IRFU220NPBF | IRF3707SPBF | IXTH16N20D2 | AUIRFI3205



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551