11P50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 11P50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 160 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 11P50A

11P50A Datasheet (PDF)

..1. Size:34K microsemi
11p50a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX11P50AFeatures500 Volts High voltage p-channel power mosfet; complements MSAFX24N50A Ultrafast body diode11 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability750 m Hermetically sealed, surface mount power package

0.1. Size:44K microsemi
msafx11p50a.pdf

9.1. Size:124K ixys
ixth10p50 ixtt10p50 ixth11p50 ixtt11p50.pdf

VDSS ID25 RDS(on)Standard Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeIXTH/IXTT 10P50 -500 V -10 A 0.90 Avalanche RatedIXTH/IXTT 11P50 -500 V -11 A 0.75 TO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C 10P50 -10 A11P50 -

9.2. Size:573K ixys
ixth11p50 ixtt11p50.pdf

VDSS = -500 VStandard Power MOSFETID25 = -11 AP-Channel Enhancement ModeIXTH 11P50Avalanche RatedRDS(on) = 0.75 IXTT 11P50TO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C -11 AIDM TC = 25C, p

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: