Справочник MOSFET. 11P50A

 

11P50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 11P50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: LCC

 Аналог (замена) для 11P50A

 

 

11P50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  microsemi
 11p50a.pdf

11P50A 11P50A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX11P50AFeatures500 Volts High voltage p-channel power mosfet; complements MSAFX24N50A Ultrafast body diode11 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability750 m Hermetically sealed, surface mount power package

 0.1. Size:44K  microsemi
 msafx11p50a.pdf

11P50A 11P50A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX11P50AFeatures500 Volts High voltage p-channel power mosfet; complements MSAFX24N50A Ultrafast body diode11 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability750 m Hermetically sealed, surface mount power package

 9.1. Size:124K  ixys
 ixth10p50 ixtt10p50 ixth11p50 ixtt11p50.pdf

11P50A 11P50A

VDSS ID25 RDS(on)Standard Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeIXTH/IXTT 10P50 -500 V -10 A 0.90 Avalanche RatedIXTH/IXTT 11P50 -500 V -11 A 0.75 TO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C 10P50 -10 A11P50 -

 9.2. Size:573K  ixys
 ixth11p50 ixtt11p50.pdf

11P50A 11P50A

VDSS = -500 VStandard Power MOSFETID25 = -11 AP-Channel Enhancement ModeIXTH 11P50Avalanche RatedRDS(on) = 0.75 IXTT 11P50TO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C -11 AIDM TC = 25C, p

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top